Infineon Technologies IPI08CNE8N G MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPI08CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3

حصے کا نمبر

IPI08CNE8N G

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO262-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

167W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

85V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

95A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

6.4 mOhm @ 95A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 130µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

99nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

6690pF @ 40V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 52761 PCS

رابطے کی معلومات