Infineon Technologies IPI032N06N3GAKSA1 MOSFET N-CH 60V 120A

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPI032N06N3GAKSA1

MOSFET N-CH 60V 120A

حصے کا نمبر

IPI032N06N3GAKSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO262-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

188W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

60V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

120A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

3.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 118µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

165nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

13000pF @ 30V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 8933 PCS

رابطے کی معلومات