Infineon Technologies IPD85P04P407ATMA1 MOSFET N-CH TO252-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPD85P04P407ATMA1

MOSFET N-CH TO252-3

حصے کا نمبر

IPD85P04P407ATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO252-3-313

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

88W (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

40V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

85A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

7.3 mOhm @ 85A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 150µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

89nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

6085pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 20801 PCS

رابطے کی معلومات