Infineon Technologies IPD60R460CEATMA1 MOSFET N-CH 600V TO-252-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPD60R460CEATMA1

MOSFET N-CH 600V TO-252-3

حصے کا نمبر

IPD60R460CEATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™ CE

حصہ کی حیثیت

Last Time Buy

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-252-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

74W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

9.1A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

460 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 280µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

28nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

620pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 38405 PCS

رابطے کی معلومات