Infineon Technologies IPD60R1K5CEAUMA1 MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPD60R1K5CEAUMA1

MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252

حصے کا نمبر

IPD60R1K5CEAUMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO-252

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

49W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

650V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

5A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

1.5 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 90µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

9.4nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

200pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 19356 PCS

رابطے کی معلومات