Infineon Technologies IPD50R950CEATMA1 MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPD50R950CEATMA1

MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252

حصے کا نمبر

IPD50R950CEATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™ CE

حصہ کی حیثیت

Discontinued at Digi-Key

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO252-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

53W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

500V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

4.3A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

950 mOhm @ 1.2A, 13V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 100µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

10.5nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

231pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

13V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 15898 PCS

رابطے کی معلومات