Infineon Technologies IPD50R3K0CEBTMA1 MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPD50R3K0CEBTMA1

MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252

حصے کا نمبر

IPD50R3K0CEBTMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™ CE

حصہ کی حیثیت

Last Time Buy

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO252-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

18W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

500V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.7A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

3 Ohm @ 400mA, 13V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 30µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

4.3nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

84pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

13V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 18985 PCS

رابطے کی معلومات