تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔
IPB80N06S2L09ATMA2

IPB80N06S2L09ATMA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
حصے کا نمبر
IPB80N06S2L09ATMA2
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
OptiMOS™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tape & Reel (TR)
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
سپلائر ڈیوائس پیکیج
PG-TO263-3-2
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
190W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
55V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
8.2 mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
2V @ 125µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
105nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
2620pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
4.5V, 10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 53813 PCS
رابطے کی معلومات
کے مطلوبہ الفاظ IPB80N06S2L09ATMA2
IPB80N06S2L09ATMA2 الیکٹرانک اجزاء
IPB80N06S2L09ATMA2 سیلز
IPB80N06S2L09ATMA2 فراہم کنندہ
IPB80N06S2L09ATMA2 فراہم کنندہ
IPB80N06S2L09ATMA2 ڈیٹا ٹیبل
IPB80N06S2L09ATMA2 تصاویر
IPB80N06S2L09ATMA2 قیمت
IPB80N06S2L09ATMA2 پیشکش
IPB80N06S2L09ATMA2 کم ترین قیمت
IPB80N06S2L09ATMA2 تلاش کریں۔
IPB80N06S2L09ATMA2 خریداری
IPB80N06S2L09ATMA2 Chip