Infineon Technologies IPB80N06S2L07ATMA3 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPB80N06S2L07ATMA3

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

حصے کا نمبر

IPB80N06S2L07ATMA3

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO263-3-2

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

210W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

55V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

80A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

6.7 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 150µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

130nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

3160pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 9229 PCS

رابطے کی معلومات