Infineon Technologies IPB50R299CPATMA1 MOSFET N-CH 550V 12A TO-263

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPB50R299CPATMA1

MOSFET N-CH 550V 12A TO-263

حصے کا نمبر

IPB50R299CPATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™

حصہ کی حیثیت

Last Time Buy

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO263-3-2

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

104W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

550V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

12A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

299 mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 440µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

31nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1190pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 47022 PCS

رابطے کی معلومات