Infineon Technologies IPB160N04S3H2ATMA1 MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

IPB160N04S3H2ATMA1

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

حصے کا نمبر

IPB160N04S3H2ATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Discontinued at Digi-Key

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO263-7-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

214W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

40V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

160A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2.1 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 150µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

145nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

9600pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 18408 PCS

رابطے کی معلومات