Infineon Technologies IPA65R660CFDXKSA1 MOSFET N-CH 650V 6A TO220

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPA65R660CFDXKSA1

MOSFET N-CH 650V 6A TO220

حصے کا نمبر

IPA65R660CFDXKSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3 Full Pack

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO220 Full Pack

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

27.8W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

650V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

6A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

660 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.5V @ 200µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

22nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

615pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 21619 PCS

رابطے کی معلومات