Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1 DIFFERENTIATED MOSFETS

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BSZ0910NDXTMA1

DIFFERENTIATED MOSFETS

حصے کا نمبر

BSZ0910NDXTMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerVDFN

پاور - زیادہ سے زیادہ

1.9W (Ta), 31W (Tc)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-WISON-8

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate, 4.5V Drive

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

9.5A (Ta), 25A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

9.5 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

5.6nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

800pF @ 15V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 16954 PCS

رابطے کی معلومات