Infineon Technologies BSS169H6327XTSA1 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BSS169H6327XTSA1

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23

حصے کا نمبر

BSS169H6327XTSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

SIPMOS®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-SOT23-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

360mW (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

Depletion Mode

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

170mA (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

6 Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.8V @ 50µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

2.8nC @ 7V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

68pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

0V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 35638 PCS

رابطے کی معلومات