Infineon Technologies BSR316PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BSR316PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3

حصے کا نمبر

BSR316PH6327XTSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

SIPMOS®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-SC-59

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

500mW (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

360mA (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

1.8 Ohm @ 360mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 170µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

7nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

165pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 50355 PCS

رابطے کی معلومات