Infineon Technologies BSP315P-E6327 MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BSP315P-E6327

MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

حصے کا نمبر

BSP315P-E6327

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

SIPMOS®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-261-4, TO-261AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-SOT223-4

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.8W (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

60V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.17A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

800 mOhm @ 1.17A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 160µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

7.8nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

160pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 30618 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

BSP3-120

SURGE PROTECTOR 120V DRIVER