Infineon Technologies BSP149 E6906 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BSP149 E6906

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

حصے کا نمبر

BSP149 E6906

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

SIPMOS®

حصہ کی حیثیت

Discontinued at Digi-Key

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-261-4, TO-261AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-SOT223-4

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.8W (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

Depletion Mode

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

200V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

660mA (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

1.8 Ohm @ 660mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 400µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

14nC @ 5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

430pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

0V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 10464 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

BSP100,135

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223