Infineon Technologies BSP125H6327XTSA1 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BSP125H6327XTSA1

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

حصے کا نمبر

BSP125H6327XTSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

SIPMOS®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-261-4, TO-261AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-SOT223-4

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.8W (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

120mA (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

45 Ohm @ 120mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.3V @ 94µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

6.6nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

150pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 36276 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

BSP100,135

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223