Infineon Technologies BSC130P03LSGAUMA1 MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BSC130P03LSGAUMA1

MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8

حصے کا نمبر

BSC130P03LSGAUMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Not For New Designs

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerTDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TDSON-8

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

12A (Ta), 22.5A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

13 mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.2V @ 150µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

73.1nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

3670pF @ 15V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 12349 PCS

رابطے کی معلومات