Infineon Technologies BSB044N08NN3GXUMA1 MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BSB044N08NN3GXUMA1

MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2

حصے کا نمبر

BSB044N08NN3GXUMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

3-WDSON

سپلائر ڈیوائس پیکیج

MG-WDSON-2, CanPAK M™

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2.2W (Ta), 78W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

80V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

18A (Ta), 90A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

4.4 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 97µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

73nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

5700pF @ 40V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 25808 PCS

رابطے کی معلومات