Infineon Technologies AUIRF7341Q MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

AUIRF7341Q

MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC

حصے کا نمبر

AUIRF7341Q

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

پاور - زیادہ سے زیادہ

2.4W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-SO

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

55V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

5.1A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

50 mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

44nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

780pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 27024 PCS

رابطے کی معلومات