Global Power Technologies Group GP2M005A060PGH MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

GP2M005A060PGH

MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

حصے کا نمبر

GP2M005A060PGH

مینوفیکچرر/برانڈ

Global Power Technologies Group

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

I-PAK

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

98.4W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

4.2A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2.1 Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

14nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

658pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 9092 PCS

رابطے کی معلومات