Global Power Technologies Group GP2M004A065HG MOSFET N-CH 650V 4A TO220

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

GP2M004A065HG

MOSFET N-CH 650V 4A TO220

حصے کا نمبر

GP2M004A065HG

مینوفیکچرر/برانڈ

Global Power Technologies Group

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-220

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

98.4W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

650V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

4A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2.4 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

15nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

642pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 33820 PCS

رابطے کی معلومات