GeneSiC Semiconductor MURTA200120R DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

MURTA200120R

DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

حصے کا نمبر

MURTA200120R

مینوفیکچرر/برانڈ

GeneSiC Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

Three Tower

سپلائر ڈیوائس پیکیج

Three Tower

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

2.6V @ 100A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

25µA @ 1200V

ڈایڈڈ کنفیگریشن

1 Pair Common Anode

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

1200V

موجودہ - اوسط درست شدہ (Io) (فی ڈائوڈ)

100A

رفتار

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 150°C

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 40936 PCS

رابطے کی معلومات