GeneSiC Semiconductor MBR60035CTRL DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

MBR60035CTRL

DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

حصے کا نمبر

MBR60035CTRL

مینوفیکچرر/برانڈ

GeneSiC Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

Twin Tower

سپلائر ڈیوائس پیکیج

Twin Tower

ڈایڈڈ کی قسم

Schottky

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

600mV @ 300A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

3mA @ 35V

ڈایڈڈ کنفیگریشن

1 Pair Common Anode

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

35V

موجودہ - اوسط درست شدہ (Io) (فی ڈائوڈ)

300A

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 150°C

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 12499 PCS

رابطے کی معلومات