GeneSiC Semiconductor KBU1010 DIODE BRIDGE 1000V 10A KBU

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

KBU1010

DIODE BRIDGE 1000V 10A KBU

حصے کا نمبر

KBU1010

مینوفیکچرر/برانڈ

GeneSiC Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

ٹیکنالوجی

Standard

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

4-SIP, KBU

سپلائر ڈیوائس پیکیج

KBU

ڈایڈڈ کی قسم

Single Phase

وولٹیج - چوٹی ریورس (زیادہ سے زیادہ)

1kV

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

10A

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.05V @ 10A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

10µA @ 1000V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 38818 PCS

رابطے کی معلومات