GeneSiC Semiconductor 1N1206A DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

1N1206A

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

حصے کا نمبر

1N1206A

مینوفیکچرر/برانڈ

GeneSiC Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

چڑھنے کی قسم

Chassis, Stud Mount

پیکیج / کیس

DO-203AA, DO-4, Stud

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DO-4

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

12A

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.1V @ 12A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

10µA @ 50V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

600V

رفتار

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-65°C ~ 200°C

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 46971 PCS

رابطے کی معلومات