تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔
EPC2111ENGRT
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
حصے کا نمبر
EPC2111ENGRT
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
-
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Digi-Reel®
آپریٹنگ درجہ حرارت
-40°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
Die
پاور - زیادہ سے زیادہ
-
سپلائر ڈیوائس پیکیج
Die
FET قسم
2 N-Channel (Half Bridge)
FET کی خصوصیت
GaNFET (Gallium Nitride)
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
30V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
16A (Ta)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
2.5V @ 5mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 9177 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ EPC2111ENGRT
EPC2111ENGRT الیکٹرانک اجزاء
EPC2111ENGRT سیلز
EPC2111ENGRT فراہم کنندہ
EPC2111ENGRT فراہم کنندہ
EPC2111ENGRT ڈیٹا ٹیبل
EPC2111ENGRT تصاویر
EPC2111ENGRT قیمت
EPC2111ENGRT پیشکش
EPC2111ENGRT کم ترین قیمت
EPC2111ENGRT تلاش کریں۔
EPC2111ENGRT خریداری
EPC2111ENGRT Chip