EPC2045ENGRT
TRANS GAN 100V BUMPED DIE
حصے کا نمبر
EPC2045ENGRT
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
eGaN®
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Digi-Reel®
ٹیکنالوجی
GaNFET (Gallium Nitride)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-40°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
Die
سپلائر ڈیوائس پیکیج
Die
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
-
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
16A (Ta)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
7 mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
2.5V @ 5mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
6.5nC @ 5V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
685pF @ 50V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
5V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
+6V, -4V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 12318 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ EPC2045ENGRT
EPC2045ENGRT الیکٹرانک اجزاء
EPC2045ENGRT سیلز
EPC2045ENGRT فراہم کنندہ
EPC2045ENGRT فراہم کنندہ
EPC2045ENGRT ڈیٹا ٹیبل
EPC2045ENGRT تصاویر
EPC2045ENGRT قیمت
EPC2045ENGRT پیشکش
EPC2045ENGRT کم ترین قیمت
EPC2045ENGRT تلاش کریں۔
EPC2045ENGRT خریداری
EPC2045ENGRT Chip