EPC2032ENGRT
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
حصے کا نمبر
EPC2032ENGRT
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
eGaN®
حصہ کی حیثیت
Discontinued at Digi-Key
پیکیجنگ
Tape & Reel (TR)
ٹیکنالوجی
GaNFET (Gallium Nitride)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-40°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
Die
سپلائر ڈیوائس پیکیج
Die
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
-
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
48A (Ta)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
4 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
2.5V @ 11mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
15nC @ 5V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
1530pF @ 50V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
5V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
+6V, -4V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 36718 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ EPC2032ENGRT
EPC2032ENGRT الیکٹرانک اجزاء
EPC2032ENGRT سیلز
EPC2032ENGRT فراہم کنندہ
EPC2032ENGRT فراہم کنندہ
EPC2032ENGRT ڈیٹا ٹیبل
EPC2032ENGRT تصاویر
EPC2032ENGRT قیمت
EPC2032ENGRT پیشکش
EPC2032ENGRT کم ترین قیمت
EPC2032ENGRT تلاش کریں۔
EPC2032ENGRT خریداری
EPC2032ENGRT Chip