Diodes Incorporated DMT3009LDT-7 MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

DMT3009LDT-7

MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

حصے کا نمبر

DMT3009LDT-7

مینوفیکچرر/برانڈ

Diodes Incorporated

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-VDFN Exposed Pad

پاور - زیادہ سے زیادہ

1.2W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

V-DFN3030-8 (Type K)

FET قسم

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

30A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

11.1 mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

20nC @ 15V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1500pF @ 15V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 25469 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

DMT3002LPS-13

MOSFET NCH 30V 100A POWERDI