Diodes Incorporated DMN1053UCP4-7 MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

DMN1053UCP4-7

MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

حصے کا نمبر

DMN1053UCP4-7

مینوفیکچرر/برانڈ

Diodes Incorporated

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

4-XFBGA, CSPBGA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

X3-DSN0808-4

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.34W

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

12V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

2.7A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

42 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

700mV @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

15nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

908pF @ 6V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.2V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 12981 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3