Diodes Incorporated DMN1017UCP3-7 MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

DMN1017UCP3-7

MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

حصے کا نمبر

DMN1017UCP3-7

مینوفیکچرر/برانڈ

Diodes Incorporated

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

3-XDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

X3-DSN1010-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.47W

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

12V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

7.5A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

17 mOhm @ 5A, 3.3V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

16nC @ 3.3V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1503pF @ 6V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 3.3V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 27611 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3