DMG3N60SJ3
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
حصے کا نمبر
DMG3N60SJ3
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
Automotive, AEC-Q101
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-251-3, IPak, Short Leads
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-251
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
41W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
650V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
2.8A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
12.6nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
354pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 14788 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ DMG3N60SJ3
DMG3N60SJ3 الیکٹرانک اجزاء
DMG3N60SJ3 سیلز
DMG3N60SJ3 فراہم کنندہ
DMG3N60SJ3 فراہم کنندہ
DMG3N60SJ3 ڈیٹا ٹیبل
DMG3N60SJ3 تصاویر
DMG3N60SJ3 قیمت
DMG3N60SJ3 پیشکش
DMG3N60SJ3 کم ترین قیمت
DMG3N60SJ3 تلاش کریں۔
DMG3N60SJ3 خریداری
DMG3N60SJ3 Chip