Advanced Linear Devices Inc. ALD1110EPAL MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

ALD1110EPAL

MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

حصے کا نمبر

ALD1110EPAL

مینوفیکچرر/برانڈ

Advanced Linear Devices Inc.

سلسلہ

EPAD®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

آپریٹنگ درجہ حرارت

0°C ~ 70°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

8-DIP (0.300", 7.62mm)

پاور - زیادہ سے زیادہ

600mW

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-PDIP

FET قسم

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

10V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

500 Ohm @ 5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.01V @ 1µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2.5pF @ 5V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 40204 PCS

رابطے کی معلومات